| Artikelnummer | JANSR2N3700UB |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 80V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 10nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| Leistung max | 500mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | UB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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JANSR2N2221AUB | Microsemi Corporation | RH SMALL-SIGNAL BJT | Einzelheiten |
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JANSR2N2222AUB | Microsemi Corporation | RH SMALL-SIGNAL BJT | Einzelheiten |
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JANSR2N3700UB | Microsemi Corporation | RH SMALL-SIGNAL BJT | Einzelheiten |
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JANSR2N3810U | Microsemi Corporation | RH SMALL-SIGNAL BJT | Einzelheiten |
