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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › JANSR2N3440
JANSR2N3440

JANSR2N3440 - Microsemi Corporation

Artikelnummer
JANSR2N3440
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
RH POWER BJT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
JANSR2N3440 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
832 pcs
Referenzpreis
USD 197.442/pcs
Unser Preis
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JANSR2N3440 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer JANSR2N3440
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 250V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 2µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V
Leistung max -
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Lieferantengerätepaket TO-39
Gewicht -
Ursprungsland -

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