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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGTQ100H65T3G
APTGTQ100H65T3G

APTGTQ100H65T3G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGTQ100H65T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MODULE - IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGTQ100H65T3G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2637 pcs
Referenzpreis
USD 62.3893/pcs
Unser Preis
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APTGTQ100H65T3G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGTQ100H65T3G
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Full Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Leistung max 250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket SP3F
Gewicht -
Ursprungsland -

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