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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT750U60D4G
APTGT750U60D4G

APTGT750U60D4G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT750U60D4G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 1000A 2300W D4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT750U60D4G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
269 pcs
Referenzpreis
USD 100.3884/pcs
Unser Preis
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APTGT750U60D4G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT750U60D4G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1000A
Leistung max 2300W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 800A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 49nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D4
Lieferantengerätepaket D4
Gewicht -
Ursprungsland -

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