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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT400U170D4G
APTGT400U170D4G

APTGT400U170D4G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT400U170D4G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 1700V 800A 2080W D4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT400U170D4G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
201 pcs
Referenzpreis
USD 130.0708/pcs
Unser Preis
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APTGT400U170D4G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT400U170D4G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 800A
Leistung max 2080W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 400A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 33nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D4
Lieferantengerätepaket D4
Gewicht -
Ursprungsland -

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