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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT30DDA60T3G
APTGT30DDA60T3G

APTGT30DDA60T3G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT30DDA60T3G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT30DDA60T3G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
APTGT30DDA60T3G.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4298 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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APTGT30DDA60T3G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT30DDA60T3G
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Dual Boost Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Leistung max 90W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.6nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3
Gewicht -
Ursprungsland -

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