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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT30A170T1G
APTGT30A170T1G

APTGT30A170T1G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT30A170T1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT30A170T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
738 pcs
Referenzpreis
USD 36.4599/pcs
Unser Preis
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APTGT30A170T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT30A170T1G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 45A
Leistung max 210W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP1
Lieferantengerätepaket SP1
Gewicht -
Ursprungsland -

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