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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT200TL60G
APTGT200TL60G

APTGT200TL60G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT200TL60G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MODULE IGBT 600V 200A SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT200TL60G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
25 pcs
Referenzpreis
USD 177.59/pcs
Unser Preis
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APTGT200TL60G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT200TL60G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 300A
Leistung max 652W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 350µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12.2nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP6
Lieferantengerätepaket SP6
Gewicht -
Ursprungsland -

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