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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT200DH120G
APTGT200DH120G

APTGT200DH120G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT200DH120G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT200DH120G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
240 pcs
Referenzpreis
USD 109.2334/pcs
Unser Preis
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APTGT200DH120G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT200DH120G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Asymmetrical Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 280A
Leistung max 890W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 350µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP6
Lieferantengerätepaket SP6
Gewicht -
Ursprungsland -

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