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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT150A170D1G
APTGT150A170D1G

APTGT150A170D1G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT150A170D1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT150A170D1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3976 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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APTGT150A170D1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT150A170D1G
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 280A
Leistung max 780W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 4mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D1
Lieferantengerätepaket D1
Gewicht -
Ursprungsland -

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