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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT150A120T3AG
APTGT150A120T3AG

APTGT150A120T3AG - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT150A120T3AG
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT ARRAY 1200V 220A 833W SP3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT150A120T3AG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
361 pcs
Referenzpreis
USD 70.8742/pcs
Unser Preis
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APTGT150A120T3AG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT150A120T3AG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 220A
Leistung max 833W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 10.7nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Lieferantengerätepaket SP3
Gewicht -
Ursprungsland -

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