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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT100TL170G
APTGT100TL170G

APTGT100TL170G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT100TL170G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
PWR MOD IGBT 3LEVEL INVERTER SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT100TL170G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
160 pcs
Referenzpreis
USD 159.4382/pcs
Unser Preis
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APTGT100TL170G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT100TL170G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Leistung max 560W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 350µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 9nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket SP6
Gewicht -
Ursprungsland -

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