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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › APTGT100H60TG
APTGT100H60TG

APTGT100H60TG - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APTGT100H60TG
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APTGT100H60TG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
412 pcs
Referenzpreis
USD 63.9744/pcs
Unser Preis
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APTGT100H60TG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APTGT100H60TG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Full Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Leistung max 340W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SP4
Lieferantengerätepaket SP4
Gewicht -
Ursprungsland -

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