APT50GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT50GT60BRDQ2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 110A 446W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2971 pcs
Referenzpreis
USD 8.97/pcs
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APT50GT60BRDQ2G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT50GT60BRDQ2G
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 110A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 150A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 50A
Leistung max 446W
Energie wechseln 995µJ (on), 1070µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 240nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 14ns/240ns
Testbedingung 400V, 50A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 22ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
Gewicht -
Ursprungsland -

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