日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

APT50GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G - Microsemi Corporation

品番: APT50GT60BRDQ2G
メーカー: Microsemi Corporation
簡単な説明: IGBT 600V 110A 446W TO247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: APT50GT60BRDQ2G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - IGBT - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 2914 pcs
参考価格: USD 8.97/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

APT50GT60BRDQ2G 詳細な説明

品番	APT50GT60BRDQ2G
部品ステータス	Active
IGBTタイプ	NPT
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	600V
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	110A
電流 - コレクタパルス（Icm）	150A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic	2.5V @ 15V, 50A
電力 - 最大	446W
スイッチングエネルギー	995µJ (on), 1070µJ (off)
入力方式	Standard
ゲートチャージ	240nC
Td（オン/オフ）@ 25℃	14ns/240ns
テスト条件	400V, 50A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間（trr）	22ns
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
パッケージ/ケース	TO-247-3
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247 [B]
重量	-
原産国	-

関連製品 APT50GT60BRDQ2G

画像	品番	メーカー	説明	見る
	APT5010B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	詳細
	APT5010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	詳細
	APT5010JFLL	APT	APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks	詳細
	APT5010JLLU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227	詳細
	APT5010JLLU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT227	詳細
	APT5010JN	APT	APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks	詳細
	APT5010JVR	APT	APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks	詳細
	APT5010JVRU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	詳細
	APT5010JVRU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	詳細
	APT5010LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A TO-264	詳細