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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › APT50GP60B2DQ2G
APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT50GP60B2DQ2G
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 150A 625W TMAX
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT50GP60B2DQ2G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
25 pcs
Referenzpreis
USD 17.04/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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APT50GP60B2DQ2G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT50GP60B2DQ2G
Teilstatus Not For New Designs
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 190A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
Leistung max 625W
Energie wechseln 465µJ (on), 635µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 165nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 19ns/85ns
Testbedingung 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3 Variant
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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