| номер части | APT50GP60B2DQ2G |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип IGBT | PT |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 150A |
| Текущий - коллектор импульсный (Icm) | 190A |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Мощность - макс. | 625W |
| Энергия переключения | 465µJ (on), 635µJ (off) |
| Тип ввода | Standard |
| Ворота затвора | 165nC |
| Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C | 19ns/85ns |
| Условия тестирования | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 Variant |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
APT5010B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | подробности |
|
APT5010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX | подробности |
 |
APT5010JFLL | APT | APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks | подробности |
 |
APT5010JLLU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 | подробности |
|
APT5010JLLU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 | подробности |
|
APT5010JN | APT | APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks | подробности |
|
APT5010JVR | APT | APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks | подробности |
|
APT5010JVRU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | подробности |
|
APT5010JVRU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 | подробности |
 |
APT5010LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 | подробности |
