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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › APT45GR65SSCD10
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10 - Microsemi Corporation

Artikelnummer
APT45GR65SSCD10
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
APT45GR65SSCD10 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2599 pcs
Referenzpreis
USD 9.7702/pcs
Unser Preis
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APT45GR65SSCD10 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer APT45GR65SSCD10
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 118A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 224A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A
Leistung max 543W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 203nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 15ns/100ns
Testbedingung 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 80ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D3Pak
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR APT45GR65SSCD10

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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