| Artikelnummer | APT45GP120B2DQ2G |
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| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 113A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 170A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 45A |
| Leistung max | 625W |
| Energie wechseln | 900µJ (on), 905µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 185nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 18ns/100ns |
| Testbedingung | 600V, 45A, 5 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT45GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | Einzelheiten |
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APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | Einzelheiten |
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APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Einzelheiten |
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APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | Einzelheiten |
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APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | Einzelheiten |
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APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
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APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
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APT45GR65SSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | Einzelheiten |
