| номер части | APT45GR65SSCD10 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | NPT |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 650V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 118A |
| Текущий - коллектор импульсный (Icm) | 224A |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Мощность - макс. | 543W |
| Энергия переключения | - |
| Тип ввода | Standard |
| Ворота затвора | 203nC |
| Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C | 15ns/100ns |
| Условия тестирования | 433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V |
| Время обратного восстановления (trr) | 80ns |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Пакет устройств поставщика | D3Pak |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT45GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 113A 625W TMAX | подробности |
 |
APT45GP120BG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 625W TO247 | подробности |
 |
APT45GP120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | подробности |
|
APT45GP120JDQ2 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 329W SOT227 | подробности |
|
APT45GR65B | Microsemi Corporation | IGBT 650V 92A 357W TO-247 | подробности |
|
APT45GR65B2DU30 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | подробности |
|
APT45GR65BSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | подробности |
|
APT45GR65SSCD10 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | подробности |
 |
APT45M100J | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227 | подробности |
