| Artikelnummer | APT44GA60B |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 78A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 130A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 26A |
| Leistung max | 337W |
| Energie wechseln | 409µJ (on), 258µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 128nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 16ns/84ns |
| Testbedingung | 400V, 26A, 4.7 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Einzelheiten |
|
APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Einzelheiten |
|
APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | Einzelheiten |
|
APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | Einzelheiten |
 |
APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | Einzelheiten |
|
APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | Einzelheiten |
|
APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | Einzelheiten |
 |
APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | Einzelheiten |
|
APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | Einzelheiten |
|
APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | Einzelheiten |
