| Artikelnummer | APT15GT60KRG |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 42A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 45A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
| Leistung max | 184W |
| Energie wechseln | 150µJ (on), 215µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 75nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 6ns/105ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 10 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 [K] |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | Einzelheiten |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | Einzelheiten |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Einzelheiten |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | Einzelheiten |
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APT1002RBN | APT | APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks | Einzelheiten |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | Einzelheiten |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Einzelheiten |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | Einzelheiten |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | Einzelheiten |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | Einzelheiten |
