SI2305B-TP - Micro Commercial Co

Artikelnummer	SI2305B-TP
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.2A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 4V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.4W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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