SI2300-TP - Micro Commercial Co

Artikelnummer	SI2300-TP
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.5A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	482pF @ 10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI2018	SI	SI2018 SI QFN-16 New Original Stocks	Einzelheiten
SI2031	SI	SI2031 SI TSSOP1.. New Original Stocks	Einzelheiten
SI2032	SI	SI2032 SI QFN-12 New Original Stocks	Einzelheiten
SI21108DT-T1-E3	VISHAY	SI21108DT-T1-E3 VISHAY SOP-8 New Original Stocks	Einzelheiten
SI2111-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T 48-QFN	Einzelheiten
SI2111-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T 48-QFN	Einzelheiten
SI2113-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-C 48-QFN	Einzelheiten
SI2113-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-C 48-QFN	Einzelheiten
SI2115-A10-GM	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T/C 48-QFN	Einzelheiten
SI2115-A10-GMR	Silicon Labs	IC SAT TV RCVR DVB-T/C 48-QFN	Einzelheiten