Artikelnummer | SI2301A-TP |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.8A |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 6V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.25W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |