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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXYA50N65C3
IXYA50N65C3

IXYA50N65C3 - IXYS

Artikelnummer
IXYA50N65C3
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 130A 600W TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXYA50N65C3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IXYA50N65C3.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
192 pcs
Referenzpreis
USD 7.08/pcs
Unser Preis
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IXYA50N65C3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXYA50N65C3
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 130A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 250A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 36A
Leistung max 600W
Energie wechseln 1.3mJ (on), 370µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 22ns/80ns
Testbedingung 400V, 36A, 5 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263
Gewicht -
Ursprungsland -

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