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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXYA20N65B3
IXYA20N65B3

IXYA20N65B3 - IXYS

Artikelnummer
IXYA20N65B3
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXYA20N65B3 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
67662 pcs
Referenzpreis
USD 2.4334/pcs
Unser Preis
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IXYA20N65B3 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXYA20N65B3
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 58A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 108A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A
Leistung max 230W
Energie wechseln 500µJ (on), 700µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 29nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 12ns/103ns
Testbedingung 400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 25ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263
Gewicht -
Ursprungsland -

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