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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › IXYA20N65C3D1
IXYA20N65C3D1

IXYA20N65C3D1 - IXYS

Artikelnummer
IXYA20N65C3D1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXYA20N65C3D1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
56662 pcs
Referenzpreis
USD 2.9058/pcs
Unser Preis
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IXYA20N65C3D1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXYA20N65C3D1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 105A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Leistung max 200W
Energie wechseln 430µJ (on), 650µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 30nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 19ns/80ns
Testbedingung 400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 34ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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