IXXN110N65B4H1 - IXYS

Artikelnummer	IXXN110N65B4H1
Teilstatus	Active
IGBT-Typ	PT
Aufbau	Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	215A
Leistung max	750W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 110A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	3.65nF @ 25V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	No
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket	SOT-227B
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXXN100N60B3H1	IXYS	IGBT 600V 100A SOT-227B	Einzelheiten
IXXN110N65B4H1	IXYS	IGBT 650V 215A 750W SOT227B	Einzelheiten
IXXN110N65C4H1	IXYS	IGBT 650V 210A 750W SOT227B	Einzelheiten