IXXN110N65B4H1 - IXYS

номер части	IXXN110N65B4H1
Статус детали	Active
Тип IGBT	PT
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	215A
Мощность - макс.	750W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 110A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	50µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	3.65nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика	SOT-227B
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXXN100N60B3H1	IXYS	IGBT 600V 100A SOT-227B	подробности
IXXN110N65B4H1	IXYS	IGBT 650V 215A 750W SOT227B	подробности
IXXN110N65C4H1	IXYS	IGBT 650V 210A 750W SOT227B	подробности