IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1 - IXYS

номер части
IXXN110N65B4H1
производитель
IXYS
Краткое описание
IGBT 650V 215A 750W SOT227B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IXXN110N65B4H1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
395 pcs
Справочная цена
USD 25.04/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IXXN110N65B4H1

IXXN110N65B4H1 Подробное описание

номер части IXXN110N65B4H1
Статус детали Active
Тип IGBT PT
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 215A
Мощность - макс. 750W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 110A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 50µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 3.65nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика SOT-227B
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IXXN110N65B4H1