IXXN110N65C4H1

IXXN110N65C4H1 - IXYS

Artikelnummer
IXXN110N65C4H1
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 210A 750W SOT227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
430 pcs
Referenzpreis
USD 25.04/pcs
Unser Preis
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IXXN110N65C4H1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXXN110N65C4H1
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 210A
Leistung max 750W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 110A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.69nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Gewicht -
Ursprungsland -

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