| Artikelnummer | IXTM5N100 |
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| Teilstatus | Last Time Buy |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 180W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-204AA |
| Paket / Fall | TO-204AA, TO-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IXT-1-1N100S1 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | Einzelheiten |
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IXT-1-1N100S1-TR | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | Einzelheiten |
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