IXFP56N30X3M

IXFP56N30X3M - IXYS

Artikelnummer
IXFP56N30X3M
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
FET N-CHANNEL
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
25022 pcs
Referenzpreis
USD 6.58/pcs
Unser Preis
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IXFP56N30X3M detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFP56N30X3M
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 300V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3750pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Isolated Tab
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht -
Ursprungsland -

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