IXFP10N60P - IXYS

Artikelnummer	IXFP10N60P
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1610pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	200W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	740 mOhm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFP102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-220	Einzelheiten
IXFP10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	Einzelheiten
IXFP10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-220	Einzelheiten
IXFP110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A TO-220	Einzelheiten
IXFP12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220	Einzelheiten
IXFP12N50PM	IXYS	MOSFET N-CH 500V 6A TO-220	Einzelheiten
IXFP12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXFP130N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220	Einzelheiten
IXFP130N10T2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220	Einzelheiten
IXFP130N15X3	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten