IXFP56N30X3M

IXFP56N30X3M - IXYS

Numéro d'article
IXFP56N30X3M
Fabricant
IXYS
Brève description
FET N-CHANNEL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
25022 pcs
Prix ​​de référence
USD 6.58/pcs
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IXFP56N30X3M Description détaillée

Numéro d'article IXFP56N30X3M
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3750pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 36W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220 Isolated Tab
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Poids -
Pays d'origine -

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