| Artikelnummer | IXFH7N100P |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 6V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2590pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IXFH100N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 | Einzelheiten |
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IXFH10N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD | Einzelheiten |
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IXFH110N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 | Einzelheiten |
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IXFH110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A TO-247 | Einzelheiten |
