IXFH7N100P - IXYS

부품 번호	IXFH7N100P
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	1000V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	6V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	47nC @ 10V
Vgs (최대)	±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	2590pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	300W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-247
패키지 / 케이스	TO-247-3
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IXFH100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-247	세부
IXFH100N30X3	IXYS	300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	세부
IXFH102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-247	세부
IXFH10N100	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD	세부
IXFH10N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD	세부
IXFH10N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD	세부
IXFH10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-247	세부
IXFH10N90	IXYS	MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD	세부
IXFH110N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 110A TO-247	세부
IXFH110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A TO-247	세부