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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IXFH10N90
IXFH10N90

IXFH10N90 - IXYS

Artikelnummer
IXFH10N90
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IXFH10N90 PDF-Online-Browsing
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IXFH10N90.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3692 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IXFH10N90 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXFH10N90
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 900V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH)
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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