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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › SGB02N60ATMA1
SGB02N60ATMA1

SGB02N60ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
SGB02N60ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 6A 30W TO263-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SGB02N60ATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4357 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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SGB02N60ATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SGB02N60ATMA1
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 6A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 12A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2A
Leistung max 30W
Energie wechseln 64µJ
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 14nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 20ns/259ns
Testbedingung 400V, 2A, 118 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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