• Italia
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › SGB02N60ATMA1
SGB02N60ATMA1

SGB02N60ATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
SGB02N60ATMA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
IGBT 600V 6A 30W TO263-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SGB02N60ATMA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3641 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per SGB02N60ATMA1

SGB02N60ATMA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte SGB02N60ATMA1
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 6A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2A
Potenza - Max 30W
Cambiare energia 64µJ
Tipo di input Standard
Carica del cancello 14nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 20ns/259ns
Condizione di test 400V, 2A, 118 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO263-3
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER SGB02N60ATMA1

Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
SGB02N120 SGB02N120 Infineon Technologies IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3 Dettagli
SGB02N120ATMA1 SGB02N120ATMA1 Infineon Technologies IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3 Dettagli
SGB02N60ATMA1 SGB02N60ATMA1 Infineon Technologies IGBT 600V 6A 30W TO263-3 Dettagli