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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Einzeln › SGB02N120ATMA1
SGB02N120ATMA1

SGB02N120ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
SGB02N120ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SGB02N120ATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
31317 pcs
Referenzpreis
USD 0.833/pcs
Unser Preis
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SGB02N120ATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SGB02N120ATMA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 6.2A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 9.6A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A
Leistung max 62W
Energie wechseln 220µJ
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 11nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 23ns/260ns
Testbedingung 800V, 2A, 91 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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