IRF6810STR1PBF detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IRF6810STR1PBF |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
16A (Ta), 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.1V @ 25µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
11nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1038pF @ 13V |
Vgs (Max) |
±16V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
2.1W (Ta), 20W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
5.2 mOhm @ 16A, 10V |
Betriebstemperatur |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
DIRECTFET S1 |
Paket / Fall |
DirectFET™ Isometric S1 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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