IRF6810STR1PBF

IRF6810STR1PBF - Infineon Technologies

Artikelnummer
IRF6810STR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 25V 16A S1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3912 pcs
Referenzpreis
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IRF6810STR1PBF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IRF6810STR1PBF
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 25µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1038pF @ 13V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 16A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DIRECTFET S1
Paket / Fall DirectFET™ Isometric S1
Gewicht -
Ursprungsland -

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