IRF6810STR1PBF Descripción detallada
| Número de pieza |
IRF6810STR1PBF |
| Estado de la pieza |
Obsolete |
| Tipo de FET |
N-Channel |
| Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
16A (Ta), 50A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.1V @ 25µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
11nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
1038pF @ 13V |
| Vgs (Max) |
±16V |
| Característica FET |
- |
| Disipación de potencia (Máx) |
2.1W (Ta), 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
5.2 mOhm @ 16A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
DIRECTFET S1 |
| Paquete / caja |
DirectFET™ Isometric S1 |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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