IRF6892STR1PBF

IRF6892STR1PBF - Infineon Technologies

Artikelnummer
IRF6892STR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 28A S3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IRF6892STR1PBF PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IRF6892STR1PBF.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4152 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IRF6892STR1PBF

IRF6892STR1PBF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IRF6892STR1PBF
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 125A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 50µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2510pF @ 13V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 28A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ S3C
Paket / Fall DirectFET™ Isometric S3C
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR IRF6892STR1PBF