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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPW60R041C6
IPW60R041C6

IPW60R041C6 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPW60R041C6
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPW60R041C6 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2837 pcs
Referenzpreis
USD 12.9/pcs
Unser Preis
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IPW60R041C6 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPW60R041C6
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 77.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 2.96mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 290nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6530pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 481W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 44.4A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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