| Artikelnummer | IPW60R031CFD7XKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 63A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 32.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.63mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 141nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5623pF @ 400V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 278W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Einzelheiten |
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IPW60R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | Einzelheiten |
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IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | Einzelheiten |
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IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | Einzelheiten |
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IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 | Einzelheiten |
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IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3 | Einzelheiten |
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IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | Einzelheiten |
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IPW60R041C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3 | Einzelheiten |
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IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3 | Einzelheiten |
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IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 | Einzelheiten |
