IPP600N25N3GXKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	IPP600N25N3GXKSA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2350pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO220-3-1
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	IPP600N25N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3	Einzelheiten
	IPP600N25N3GXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3	Einzelheiten