IPP600N25N3GXKSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	IPP600N25N3GXKSA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2350pF @ 100V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO220-3-1
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	IPP600N25N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3	Détails
	IPP600N25N3GXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3	Détails