| Artikelnummer | IPP600N25N3 G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 25A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 136W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 25A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3-1 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
IPP600N25N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 | Einzelheiten |
|
IPP600N25N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 | Einzelheiten |
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | Einzelheiten |
|
IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | Einzelheiten |
 |
IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Einzelheiten |
|
IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | Einzelheiten |
|
IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220 | Einzelheiten |
|
IPP60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | Einzelheiten |
|
IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | Einzelheiten |
|
IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | Einzelheiten |
