IPG20N06S4L26AATMA1

IPG20N06S4L26AATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPG20N06S4L26AATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
65007 pcs
Referenzpreis
USD 0.3918/pcs
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IPG20N06S4L26AATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPG20N06S4L26AATMA1
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 25V
Leistung max 33W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-10
Gewicht -
Ursprungsland -

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